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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302 Guo Y (Guo Yan); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Song HP (Song Hua-Ping); Yang AL (Yang An-Li); Zheng GL (Zheng Gao-Lin); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：204/46  |  提交时间：2010/07/05 GE  GAAS  GROWTH   Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  atomic-terminated surface  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MONOLAYER COVERAGE  INAS  GAAS  GE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION   Deep centers in AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW laser structures grown by MBE and MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 1996, 卷号: 169, 期号: 4, 页码: 643-648 Lu LW; Feng SL; Xu JY; Yang H; Wang ZG; Wang J; Wang Y; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 ALXGA1-XAS  EPITAXY  TRAPS