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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of low-temperature SiGe interlayer on the growth of relaxed SiGe 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe  UHV/CVD  RHEED  Raman scattering  SILICON  RELAXATION   Dislocations and precipitates in semi-insulating gallium arsenide revealed by ultrasonic Abrahams-Buiocchi etching 期刊论文 journal of crystal growth, 1996, 卷号: 167, 期号: 0, 页码: 766-768 Chen NF; He HJ; Wang YT; Pan K; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS