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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EMISSION  LASERS  WAVELENGTH  EXCITONS  ENERGY   Characteristic of rapid thermal annealing on GaIn(N)(Sb)As/GaAs quantum well grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: art.no.034903 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/04/11 IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  OPTICAL-PROPERTIES  LASERS  NITROGEN  ORIGIN   Photoluminescence enhancement of (NH4)(2)S-x passivated InP surface by rapid thermal annealing 期刊论文 applied surface science, 1996, 卷号: 100, 期号: 0, 页码: 592-595 Chen WD; Li XQ; Duan LH; Xie XL; Cui YD 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 Photoluminescence studies on the interaction of near-surface GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells with chemical adsorbates 期刊论文 journal of photochemistry and photobiology a-chemistry, 1996, 卷号: 101, 期号: 0, 页码: 113-117 Liu Y; Xiao XR; Li XP; Xu ZY; Yuan ZL; Zeng YP; Yang CH; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 chemical adsorption  multiquantum well  photoluminescence  POROUS SILICON  GAAS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  ABSORPTION  ENERGY  CELL