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半导体研究所 [33]
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期刊论文 [32]
会议论文 [1]
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2011 [3]
2010 [4]
2009 [2]
2008 [1]
2006 [4]
2005 [4]
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学科主题
半导体材料 [33]
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学科主题:半导体材料
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Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:68/4
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
收藏
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浏览/下载:42/3
  |  
提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Wang YS (Wang Y. S.)
;
Zhang H (Zhang H.)
收藏
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浏览/下载:190/22
  |  
提交时间:2010/09/07
Thermophotovoltaic
Gallium antimonide
Absorption coefficient
Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 2455-2459
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Liu JQ (Liu J. Q.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:265/60
  |  
提交时间:2010/09/07
Quantum dots
Temperature dependent
Photoluminescence
Surface localized centers
Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1, 页码: art. no. 013102
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Gu
;
YX (Gu Yong-Xian)
;
Liu Y (Liu Yu)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:207/54
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提交时间:2010/04/13
energy states
optical modulation
quantum dot lasers
THRESHOLD CURRENT
WELL
GAIN
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell
期刊论文
chinese science bulletin, 2009, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 353-357
作者:
Wang Y
收藏
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浏览/下载:411/35
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提交时间:2010/03/08
spectral response
tandem cell
temperature coefficient
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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浏览/下载:78/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
Shi HL
;
Duan Y
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浏览/下载:151/26
  |  
提交时间:2010/03/08
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
ZINCBLENDE
OFFSETS
GAASN
CDTE
BEO
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