QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329 作者:  Fangzheng Li;  Lianshan Wang;  Guijuan Zhao;  Yulin Meng;  Huijie Li 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/05/23 Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329 作者:  Fangzheng Li;  Lianshan Wang;  Guijuan Zhao;  Yulin Meng;  Huijie Li 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/05/23 Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108 Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE