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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [1]
2000 [1]
1992 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Bai YM (Bai Y. M.)
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浏览/下载:170/19
  |  
提交时间:2010/09/20
OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION
DISPERSION-RELATIONS
CARRIER MOBILITIES
PHASE EPITAXY
DOPED GAAS
DEVICES
GASB
INP
ALXGA1-XAS
INGAASSB
Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794
Zhuang QD
;
Li JM
;
Wang XX
;
Zeng YP
;
Wang YT
;
Wang BQ
;
Pan L
;
Wu J
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs
quantum dots
superlattice
annealing
X-ray
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INFRARED PHOTODETECTORS
STRAIN RELAXATION
LUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
DEPENDENCE
ABSORPTION
THRESHOLD
OPERATION
ISLANDS
RESONANT TUNNELING, EIGENVALUE AND ENERGY-BAND CALCULATION FOR POTENTIAL AND PERIODIC POTENTIAL STRUCTURES
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1992, 卷号: 54, 期号: 2, 页码: 191-195
HUANG YZ
;
WANG CM
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  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/15
DOUBLE-BARRIER
SUPERLATTICE
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