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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：65/25  |  提交时间：2010/03/08 GAAS PHOTOCATHODES  GALLIUM-ARSENIDE  ALXGA1-XAS  DIFFUSION  SURFACE  ENERGY   Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers 期刊论文 modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 14, 页码: 859-866 Sun, J; Zhou, DY; Li, RY; Zhao, C; Ye, XL; Xu, B; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：64/5  |  提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors  quantum dots  scanning electron microscopy  selective etching   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN   A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245 Ding SA; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 MICROSTRUCTURE