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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 (Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455 Song SL; Chen NF; Zhou JP; Li YL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK 收藏  |  浏览/下载：356/46  |  提交时间：2010/03/09 auger electron spectroscopy   Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD) 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Li YL; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：144/35  |  提交时间：2010/03/09 auger electron spectroscopy   Anomalous temperature dependence of photoluminescence from stoichiometric GD(2)O(3-x) film 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 136-142 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：107/14  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147 Liu LF; Chen NF; Zhang FQ; Chen CL; Li YL; Yang SY; Liu Z 收藏  |  浏览/下载：80/34  |  提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy   Violet/blue photoluminescence from CeO2 thin film 期刊论文 chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1198-1200 Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Liao MY; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：255/3  |  提交时间：2010/08/12 cerium dioxide thin film  PL  violet/blue  CERIUM OXIDE  DEPOSITION  INTERFACE  EMISSION  SILICON  GROWTH   GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394 Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  ion beam epitaxy  semiconducting gadolinium silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  MAGNETIC SEMICONDUCTORS  TRANSITION  INSULATOR  SILICON  FILMS   A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401 Wu ZL; Huang DD; Yang XZ 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY PHOTOELECTRON  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SPECTROSCOPY  SURFACES  SI(111)  OXIDES  LAYERS  SI   Photoluminescence and activation on SI-GaAs by Si+ implantation and following rapid thermal annealing 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 117, 期号: 0, 页码: 112-116 Li GH; Wang CH; Zhao J; Wang ZG; Wan SK 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 EFFICIENCY