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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001 作者:  Wei XC;  Duan RF;  Ding K 收藏  |  浏览/下载：76/19  |  提交时间：2010/03/08 LOCALIZATION  SEMICONDUCTORS  EMISSION  BOXES  BAND   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   1.55-mu m resonant cavity enhanced photodiode based on MBE grown Ge quantum dots 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 508, 期号: 1-2, 页码: 396-398 Yu J; Kasper E; Oehme M 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/04/11 SiGe  photodiode  MBE  quantum dots  PHOTODETECTORS  OPERATION   Photodilatation effect of undoped a-Si:H films 期刊论文 physical review letters, 1997, 卷号: 79, 期号: 21, 页码: 4210-4213 Kong GL; Zhang DL; Yue GZ; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON  RELAXATION   THE ADSORPTION OF O2 ON FESI SURFACES 期刊论文 surface science, 1992, 卷号: 269, 期号: 0, 页码: 1022-1031 HSU CC; DING SA; MA MS; WU JX; LIU XM; JI MR 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 METAL-SILICIDES  OXIDATION  OXYGEN  GROWTH  TRACER  EELS  XPS