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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth Simulations of Self-Assembled Nanowires on Stepped Substrates 期刊论文 ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965 Liang S; Kong DH; Zhu HL; Wang W 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  SURFACE MIGRATION  FABRICATION  GAAS(100)  ISLANDS  WIRES   Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/15 LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  TUNING RANGE  NM  EMISSION  SPECTRUM  SPECTROSCOPY   Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition 会议论文 symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002 Zeng XB; Liao XB; Diao HW; Hu ZH; Xu YY; Zhang SB; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 LASER-ABLATION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  GROWTH  MECHANISM  EVAPORATION  DIAMETER  WIRES   Silicon nanowires grown on a pre-annealed Si substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 13-16 Zeng XB; Xu YY; Zhang SB; Hu ZH; Diao HW; Wang YQ; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 chemical vapor deposition processes  nanomaterials  semiconducting silicon  LASER-ABLATION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  MECHANISM  EVAPORATION  DIAMETER  WIRES   A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  SHAPE TRANSITION  PHOTOLUMINESCENCE  FABRICATION  DEPOSITION  WIRES  SITU   In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文 10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE   SIMULATION OF LATERAL CONFINEMENT IN VERY NARROW CHANNELS 期刊论文 physical review b, 1994, 卷号: 49, 期号: 24, 页码: 17452-17455 DU QH; WANG ZG; MAO JM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 ONE-DIMENSIONAL CONDUCTION  PARABOLIC QUANTUM-WELL  2D ELECTRON-GAS  MAGNETIC DEPOPULATION  MAGNETOOPTICAL ABSORPTION  SUBBANDS  WIRES  HETEROSTRUCTURES  HETEROJUNCTION  STATES