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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of space- and ground-grown Ce: Bi12SiO20 single crystals 期刊论文 microgravity science and technology, 2006, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 40244 Zhou YF; Pan ZL; Liu Y; Ai F; Chen NF; Huang YY; He W; Tang LA; Wang JC 收藏  |  浏览/下载：269/40  |  提交时间：2010/04/11 Space growth studies of Ce-doped Bi12SiO20 single crystal 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2004, 卷号: 113, 期号: 3, 页码: 179-183 Zhou YF; Wang JC; Tang LA; Pan ZL; Chen NF; Chen WC; Huang YY; He W 收藏  |  浏览/下载：107/20  |  提交时间：2010/03/09 Bridgman technique   Growth of CeO2 : Bi12SiO20 crystals in multi-position furnace(II) - Space growth experiment 期刊论文 journal of inorganic materials, 2004, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 283-288 Zhou YF; Wang JC; Tang LA; Chen NF; Chen WC 收藏  |  浏览/下载：64/18  |  提交时间：2010/03/09 doped cerium bismuth silicon oxides (Ce : BSO)   Residual donors in undoped LEC InP 会议论文 11th international semiconducting and insulating materials conference (simc-xi), canberra, australia, jul 03-07, 2000 Zhao YW; Sun NF; Sun TN; Lin LY; Wu XW; Guo WL; Wu X; Bi KY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 INDIUM-PHOSPHIDE  CARBON  DEFECTS  GROWTH   Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study 会议论文 symposium on applications of synchrotron radiation techniques to materials science iv, san francisco, ca, apr 13-17, 1998 Han YJ; Jiang JH; Wang ZG; Liu XL; Jiao JH; Tian YL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29