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半导体研究所 [15]
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期刊论文 [14]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [3]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [1]
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学科主题
半导体材料 [15]
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学科主题:半导体材料
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Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320
作者:
Yang T
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
INALAS
Short range scattering mechanism of type-II GaSb/GaAs quantum dots on the transport properties of two-dimensional electron gas
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043702
Li GD (Li Guodong)
;
Yin H (Yin Hong)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Sakaki H (Sakaki Hiroyuki)
;
Jiang C (Jiang Chao)
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浏览/下载:204/41
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提交时间:2010/10/11
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROJUNCTIONS
SPECTROSCOPY
SYSTEMS
PHYSICS
Improved electroluminescence from n-ZnO/AlN/p-GaN heterojunction light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 20, 页码: art. no. 201102
You JB (You J. B.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Zhang SG (Zhang S. G.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Zhang WJ (Zhang W. J.)
;
Chu PK (Chu P. K.)
;
Cui B (Cui B.)
;
Wowchak AM (Wowchak A. M.)
;
Dabiran AM (Dabiran A. M.)
;
Chow PP (Chow P. P.)
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浏览/下载:225/45
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提交时间:2010/06/18
ZNO
DEPOSITION
Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083701
作者:
Tan HR
;
Yin ZG
;
You JB
;
Zhang SG
;
Zhang XW
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浏览/下载:145/29
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提交时间:2010/05/24
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPECTROSCOPY
EPITAXY
GROWTH
FILM
SIO2
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
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浏览/下载:80/25
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提交时间:2010/03/08
GAAS PHOTOCATHODES
GALLIUM-ARSENIDE
ALXGA1-XAS
DIFFUSION
SURFACE
ENERGY
Effect of Surface Potential Barrier on the Electron Energy Distribution of NEA Photocathodes
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1479-1483
Zou Jijun
;
Yang Zhi
;
Qiao Jianliang
;
Chang Benkang
;
Zeng Yiping
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Pseudospin in Si delta-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs single quantum well
期刊论文
solid state communications, 2007, 卷号: 142, 期号: 7, 页码: 393-397
Zhou WZ
;
Huang ZM
;
Qiu ZJ
;
Lin T
;
Shang LY
;
Li DL
;
Gao HL
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Guo SL
;
Gui YS
;
Dai N
;
Chu JH
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
quantum wells
Stability of GaAs photocathodes under different intensities of illumination
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 10, 页码: 6109-6113
Zou JJ (Zou Ji-Jun)
;
Chang BK (Chang Ben-Kang)
;
Yang Z (Yang Zhi)
;
Gao P (Gao Pin)
;
Qiao JL (Qiao Jian-Liang)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Pine)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/29
GaAs photocathode
Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338
作者:
Zhang Y
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode
InP substrate
molecular beam epitaxy
high resolution transmission electron microscope
CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS
INTRINSIC BISTABILITY
CIRCUIT
Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573
Li, JM
;
Lu, YW
;
Li, DB
;
Han, XX
;
Zhu, QS
;
Liu, XL
;
Wang, ZG
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/03/17
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
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