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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EMISSION  LASERS  WAVELENGTH  EXCITONS  ENERGY   Intrasubband and intersubband transitions in GaAs/AlxGa1-xAs multiple quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 16, 页码: art.no.162111 Li, JM (Li, J. M.); Qian, KY (Qian, K. Y.); Zhu, QS (Zhu, Q. S.); Wang, ZG (Wang, Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2010/03/29 INFRARED PHOTODETECTORS   Growth of low-density InAs/GaAs quantum dots on a substrate with an intentional temperature gradient by molecular beam epitaxy 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2775-2778 作者:  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：465/1  |  提交时间：2010/04/11 GAAS   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA   Donor acceptor pair in molecular beam epitaxy grown GaN 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 242-245 Ren GB; Dewsnip DJ; Lacklison DE; Orton JW; Cheng TS; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 donor acceptor pair  GaN  molecular beam epitaxy  photoluminescence  shallow acceptor  GAAS  LUMINESCENCE  CD   Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 Liu JP; Liu XF; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 Si1-xGex alloys  low-temperature epitaxy  composition dependence  growth kinetics  GAS-SOURCE MBE  SI2H6  SEGREGATION  DEPENDENCE  KINETICS  FILMS