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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [3]
发表日期
2007 [1]
2006 [3]
2004 [2]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
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Rapid thermal annealing properties of ZnO films grown using methanol as oxidant
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 19, 页码: 6010-6013
Zhang PF (Zhang, P. F.)
;
Liu XL (Liu, X. L.)
;
Wei HY (Wei, H. Y.)
;
Fan HB (Fan, H. B.)
;
Liang ZM (Liang, Z. M.)
;
Jin P (Jin, P.)
;
Yang SY (Yang, S. Y.)
;
Jiao CM (Jiao, C. M.)
;
Zhu QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang ZG (Wang, Z. G.)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427
Shi LW (Shi Liwei)
;
Wang Q (Wang Qiang)
;
Li YG (Li Yuguo)
;
Xue CS (Xue Chengshan)
;
Zhuang HZ (Zhuang Huizhao)
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/04/11
ion implantation
annealing
chemical etching
photoluminescence
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
会议论文
3rd international materials symposium/12th meeting of the sociedad-portuguesa-da-materials (materials 2005/spm), aveiro, portugal, mar 20-23, 2005
Zhang, S
;
Hu, Z
;
Raniero, L
;
Liao, X
;
Ferreira, I
;
Fortunato, E
;
Vilarinho, P
;
Perreira, L
;
Martins, R
收藏
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浏览/下载:209/71
  |  
提交时间:2010/03/29
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
20th congress of the international-commission-for-optics, changchun, peoples r china, aug 21-26, 2005
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:95/18
  |  
提交时间:2010/03/29
ZnO
MOCVD
thermal annealing
photoluminescence
x-ray diffraction
atomic force microscopy
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISMS
EPITAXY
CVD
SI
Magnetic properties of Mn-implanted n-type Ge
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 106-110
作者:
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/17
ferromagnetism
Fabrication of GdSi2 film by low-energy ion-beam implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 186-190
Li YL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Song SL
;
Yang SY
;
Liu ZK
收藏
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浏览/下载:44/14
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提交时间:2010/03/09
scanning electron microscopy
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
会议论文
symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/15
EPITAXIAL-GROWTH
AL2O3
SI
MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520
Yang JL
;
Chen NF
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Liao MY
;
He HJ
收藏
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浏览/下载:112/13
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
ion beam epitaxy
semiconducting manganese silicide
SEMICONDUCTING SILICIDES
THIN-FILMS
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON
期刊论文
applied surface science, 1993, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 259-263
WONG YW
;
YANG XQ
;
CHAN PW
;
TONG KY
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
REACTIVE ATMOSPHERE
BORON
IRRADIATION
SEMICONDUCTORS
JUNCTIONS
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