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半导体研究所 [18]

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半导体材料 [18]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 20101 Qu, SQ; Wang, XL; Xiao, HL; Hou, X; Wang, CM; Jiang, LJ; Feng, C; Chen, H; Yin, HB; Peng, EC; Kang, H; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2015/04/02
	Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112 作者: Shi K; Jiao CM; Song HP 收藏 \| 浏览/下载：94/7 \| 提交时间：2011/07/05 Valence band offset GaN/diamond heterojunction XPS Conduction band offset CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION ALGAN/GAN HEMTS DIAMOND GAN FILMS
	The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102 Bi Y; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Peng EC; Lin DF; Feng C; Jiang LJ 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2012/01/06 ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS FIELD-EFFECT TRANSISTORS ALGAN/GAN POLARIZATION PASSIVATION HFETS GHZ
	The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者: Bi Y; Lin DF; Peng EC 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2011/09/14 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS FIELD-EFFECT TRANSISTORS HETEROJUNCTION FETS HETEROSTRUCTURES PASSIVATION CONFINEMENT PERFORMANCE BARRIERS
	An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者: Zhang ML; Hou QF 收藏 \| 浏览/下载：129/30 \| 提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN HEMT MOCVD SiC substrate Power device
	AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE HETEROSTRUCTURES OPTIMIZATION MOBILITY
	AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 作者: Hou QF; Zhang ML 收藏 \| 浏览/下载：52/0 \| 提交时间：2010/03/09 ALGAN/GAN HEMTS
	High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz 期刊论文 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 Wang, XL; Chen, TS; Xiao, HL; Wang, CM; Hu, GX; Luo, WJ; Tang, J; Guo, LC; Li, JM 收藏 \| 浏览/下载：78/1 \| 提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN HEMTs SiC power
	Effect of CO on characteristics of AlGaN/GaN Schottky diode 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3025-3027 Feng, C; Wang, XL; Yang, CB; Xiao, HL; Zhang, ML; Jiang, LJ; Tang, J; Hu, GX; Wang, JX; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：78/1 \| 提交时间：2010/03/08 HEMTS
	AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band 期刊论文半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 514-517 Yao Xiaojiang; Li Bin; Chen Yanhu; Chen Xiaojuan; Wei Ke; Li Chengzhan; Luo Weijun; WANG Xiaoliang; Liu Dan; Liu Guoguo; Liu Xinyu 收藏 \| 浏览/下载：152/11 \| 提交时间：2010/11/23

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