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	AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究学位论文博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 田迎冬收藏 \| 浏览/下载：73/0 \| 提交时间：2016/06/01 AlN AlGaN 基深紫外 LED AlGaN 基紫外 Laser AlN 纳米柱半极性面纳米锥
	AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究学位论文博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 潘旭收藏 \| 浏览/下载：51/0 \| 提交时间：2012/06/05 AlxGa1-xN三元合金高Al组分紫外探测器金属有机物化学气相外延 Si基GaN
	Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者: Pan X; Hou QF 收藏 \| 浏览/下载：84/7 \| 提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS AL-CONTENT STRESS-CONTROL PHASE EPITAXY ALGAN BUFFER LAYERS HETEROSTRUCTURES INTERLAYERS SILICON
	Aluminum induced crystallization of strongly (111) oriented polycrystalline silicon thin film and nucleation analysis 期刊论文 science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 11, 页码: 3002-3005 Huang TM (Huang TianMao); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai YM (BaiYiMing); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Zhang H (Zhang Han); Wang Y (Wang Yu); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi) 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2010/11/14 polycrystalline silicon thin film aluminum induced crystallization (111) preferred orientation INDUCED LAYER-EXCHANGE AMORPHOUS-SILICON SOLAR-CELLS GLASS SI ORIENTATION MODEL
	In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂期刊论文广西大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 1027-1031 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2011/08/16
	Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal 期刊论文半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33 作者: Ke Jianhong 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者: Zhao J 收藏 \| 浏览/下载：46/4 \| 提交时间：2011/07/05 ZnO Pulsed laser deposition X-ray diffraction Photoluminescence Reflection high-energy electron diffraction PULSED-LASER DEPOSITION THIN-FILMS PLD TECHNIQUE GROWTH SAPPHIRE TEMPERATURE
	Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏 \| 浏览/下载：69/3 \| 提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION TEMPERATURE ALN INTERLAYERS PHASE EPITAXY OPTICAL-PROPERTIES SURFACTANT SUBSTRATE STRESS SI REDUCTION SAPPHIRE
	以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征期刊论文半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1998-2002 林郭强; 曾一平; 王晓亮; 刘宏新收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2010/11/23
	MOCVD-grown high-mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 791-793 Wang XL (Wang Xiaoliang); Wang CM (Wang Cuimei); Hu GX (Hu Guoxin); Mao HL (Mao Hongling); Fang CB (Fang Cebao); Wang JX (Wang Junxi); Ran JX (Ran Junxue); Li HP (Li Hanping); Li JM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/03/29 2DEG

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