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科研机构
半导体研究所 [9]
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会议论文 [1]
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2008 [1]
2005 [2]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2011/07/05
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
QUANTUM-DOTS
ANODIC ALUMINA
ARRAYS
PLACEMENT
INAS
A Planar InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiode with Cascade Edge Breakdown Suppression
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1686-1691
作者:
Wu Meng
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/23
Intersubband optical absorption in quantum dots-in-a-well heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 5, 页码: art.no.053703
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:112/42
  |  
提交时间:2010/03/17
INFRARED PHOTODETECTORS
Realization of highly uniform self-assembled InAs quantum wires by the strain compensating technique
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: art.no.083108
Huang, XQ
;
Wang, YL
;
Li, L
;
Liang, L
;
Liu, FQ
收藏
  |  
浏览/下载:39/18
  |  
提交时间:2010/03/17
INP(001)
Controllable growth of semiconductor nanometer structures
期刊论文
microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382
Wang ZG
;
Wu J
收藏
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浏览/下载:289/9
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
nanostructures
INAS QUANTUM DOTS
SELF-ORGANIZATION
MONOLAYER COVERAGE
DENSITY
GAAS
ISLANDS
INP(001)
EPITAXY
A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194
Chen Z
;
Lu DH
;
Yuan HR
;
Han P
;
Liu XL
;
Li YF
;
Wang XH
;
Lu Y
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:102/11
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
GAN BUFFER LAYER
EPITAXIAL-GROWTH
PHASE EPITAXY
SURFACES
TEMPERATURE
DEPENDENCE
MODE
WIRE
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139
作者:
Xu B
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浏览/下载:143/9
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
laser diodes
WELL LASERS
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
laser diodes
WELL LASERS
Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InGaAs/InGaAlAs
adjusting layer
molecular beam epitaxy
high index
GAAS
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