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半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2012 [1]
2009 [1]
2002 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
半导体器件 [1]
半导体物理 [1]
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学科主题:半导体材料
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GaN 基 HEMT材料的新结构研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/05/30
氮化镓
铟铝氮
二维电子气
高电子迁移率晶体管
短沟道效应
射频分子束外延生长AlInGaN四元合金
期刊论文
无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
作者:
王保柱
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/11/23
铟镓氮薄膜的光电特性
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 143-148
作者:
韩培德
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
InGaN光致发光性质与温度的关系
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 569
作者:
樊志军
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提交时间:2010/11/23
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