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半导体研究所 [11]
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2016 [1]
2008 [3]
2006 [1]
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2000 [1]
1999 [1]
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学科主题:半导体材料
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AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
解理面预处理方法对二次外延的影响
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 544-548
作者:
陈涌海
;
徐波
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
于会永
;
赵有文
;
占荣
;
高永亮
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:
刘喆
;
魏同波
;
段瑞飞
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
中国材料工程大典—信息功能材料工程
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
王占国
;
陈立泉
;
屠海令
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浏览/下载:178/0
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提交时间:2009/09/19
利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 1067-1071
钮金真
;
李国华
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析
期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 335
郑红军
;
卜俊鹏
;
尹玉华
;
白玉柯
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 309
作者:
牛智川
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
梁平
;
胡颖
;
刘俊岐
;
刘峰奇
;
王利军
;
张锦川
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2014/10/29
偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
曹可慰
;
赵有文
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/09/22
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