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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响 期刊论文 激光技术, 2010, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 766-769 作者:  梁德春 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/16 退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响 期刊论文 光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1805-1808 作者:  梁德春 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/08/16 Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响 期刊论文 中国科学. E辑，技术科学, 2009, 卷号: 39, 期号: 7, 页码: 1269-1274 作者:  李新坤;  梁德春 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜 期刊论文 发光学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 861-864 作者:  王晓峰 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1334-1337 作者:  王晓峰 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文 人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470 作者:  韩修训;  黎大兵 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性 期刊论文 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 338 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23