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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者: 刘斌; 陈涌海

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带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者: 赵强

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离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究 期刊论文
人工晶体学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 280-284
刘焕林; 郝瑞亭; 杨宇

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制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析 期刊论文
材料导报, 2006, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 122-125
吴燕; 朱贤方; 王占国

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半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1934-1939
作者: 王博

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低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 1890-1894
谷锦华; 周玉琴; 朱美芳; 李国华; 丁琨; 周炳卿; 刘丰珍; 刘金龙; 张群芳

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分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 384-386
作者: 牛智川

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利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2172-2175
周炳卿; 刘丰珍; 朱美芳; 谷锦华; 周玉琴; 刘金龙; 董宝中; 李国华; 丁琨

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低能碳离子束沉积（111）织构的立方SiC薄膜 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2385-2389
作者: 张兴旺; 杨少延

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