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大尺寸硅衬底上氮化物外延生长及HEMT制备技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
刘波亭
收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2017/06/05
GaN  Si  应变  HEMT  迁移率  
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
收藏  |  浏览/下载：520/0  |  提交时间：2016/06/03
离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
王浩林
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2016/07/07
毕业论文 基于光子晶体慢光效应的光放大和激光器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
齐爱谊
收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2014/06/11
双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池 期刊论文
材料工程, 2011, 卷号: xx, 期号: 8, 页码: 5-7，13
作者:  杨萍;  姚文杰;  刘石勇;  彭文博;  谢小兵
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/07/17
分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032
作者:  王保柱
收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2012/07/16
4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究 期刊论文
半导体光电, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 359-362
作者:  郑柳;  董林;  刘兴昉;  吴海雷;  闫果果
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/07/16
图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 020703-1-020703-5
作者:  牛智川;  王杰;  杨晓红;  韩勤;  贺继方
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/16
一种新型的光子晶体偏振光分束器的设计 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5547-5552
郭浩; 吴评; 于天宝; 廖清华; 刘念华; 黄永箴
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/08/16
聚焦电子束诱导碳沉积实现纳米线表面可控修饰 期刊论文
科学通报, 2010, 卷号: 55, 期号: 13, 页码: 1288-1293
苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王占国
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/16

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