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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2000 [2]
1996 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Influence of precipitates on GaN epilayer quality
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
precipitate
GaN
WDS
TEM
cathodoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
MECHANISM
GROWTH
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
precipitate
GaN
WDS
TEM
cathodoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
MECHANISM
GROWTH
Dislocations and precipitates in semi-insulating gallium arsenide revealed by ultrasonic Abrahams-Buiocchi etching
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 167, 期号: 0, 页码: 766-768
Chen NF
;
He HJ
;
Wang YT
;
Pan K
;
Lin LY
收藏
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提交时间:2010/11/17
GAAS
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