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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2006 [1]
1996 [2]
1995 [1]
1992 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64007
Guo, Enqing
;
Liu, Zhiqiang
;
Wang, Liancheng
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/06/14
Drops
Efficiency
Electric contactors
Gallium nitride
Light emission
Ohmic contacts
Silica
Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784
作者:
Li XK
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浏览/下载:90/1
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提交时间:2010/03/08
ZnO
Schottky barrier
interface
MSM structure
Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110
作者:
Han XX
;
Wei HY
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浏览/下载:710/6
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE CONDUCTION
THIN-FILMS
OHMIC CONTACTS
Microstructure studies of PdGe/Ge ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing
期刊论文
applied surface science, 1996, 卷号: 100, 期号: 0, 页码: 530-533
Chen WD
;
Xie XL
;
Cui YD
;
Chen CH
;
Hsu CC
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/17
GE
A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245
Ding SA
;
Hsu CC
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/17
MICROSTRUCTURE
Quantum interference effect in GaAs/AlGaAs double quantum wells
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 372-375
Wang XH
;
Yu Q
;
Laiho R
;
Li CF
;
Liu JA
;
Yang XP
;
Zheng HZ
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/17
quantum effect
GaAs
quantum wells
RINGS
INDIUM OHMIC CONTACTS TO N-ZNSE
期刊论文
vacuum, 1992, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1149-1151
WANG YX
;
HOLLOWAY PH
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
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