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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [10]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2006 [3]
2001 [1]
2000 [2]
1999 [4]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
Jin, L
;
Zhou, HY
;
Qu, SC
;
Wang, ZG
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2012/02/06
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GROWTH
SEMICONDUCTORS
NANOSTRUCTURES
COMPUTATION
INGAAS
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
Finite element analysis of stress and strain distributions in InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1315-1319
Zhou WM
;
Wang CY
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
quantum dots
strain and stress distribution
strain energy
finite element method
ISLANDS
GROWTH
GAAS
GAAS(001)
EVOLUTION
Shape and spatial correlation control of InAs-InAlAs-InP(001) nanostructure superlattices
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.063114
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/04/11
VERTICAL SELF-ORGANIZATION
QUANTUM WIRES
SURFACE
GROWTH
ALLOY
INALAS/INP(001)
NANOWIRES
INP(001)
ISLANDS
ARRAYS
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:77/2
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
ELECTRON-PHONON INTERACTIONS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
CARRIER TRANSFER
INAS
GAAS
LASERS
ISLANDS
GROWTH
GAIN
Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213
Wang XD
;
Niu ZC
;
Wang H
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dot
low-temperature GaAs
As precipitates
annealing
TEM
PL
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ISLANDS
GROWTH
SURFACES
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
self-assembled quantum dots
InP substrate
high index
In(Ga,Al)As/InAlAs/InP
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAAS
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
INP(001)
GROWTH
LASERS
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Zhuang QD
;
Li HX
;
Pan L
;
Li JM
;
Kong MY
;
Lin LY
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
X-RAY-DIFFRACTION
ISLANDS
SURFACES
GROWTH
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 1161-1163
Zhuang QD
;
Li HX
;
Pan L
;
Li JM
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
superlattice
vertical alignment
ISLANDS
SURFACES
GROWTH
X-RAY-DIFFRACTION
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