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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots 期刊论文 electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/04/11 SEMICONDUCTOR-DEVICES  TRANSPORT  STATES  BISTABILITY  VOLTAGE  LASERS  DIODE   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   GIANT CAPACITANCE OSCILLATIONS RELATED TO THE QUANTUM CAPACITANCE IN GAAS ALAS SUPERLATTICES 期刊论文 applied physics letters, 1994, 卷号: 64, 期号: 25, 页码: 3416-3418 ZHANG YH; LI YX; JIANG DH; YANG XP; ZHANG PH 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRIC-FIELD DOMAINS  TUNNELING STRUCTURES  SYSTEMS