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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108 Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE   Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3543-3546 Wu, BP; Wu, DH; Ni, HQ; Huang, SS; Zhan, F; Xiong, YH; Xu, YQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：44/1  |  提交时间：2010/03/08 LAYERS  SURFACTANT  SUBSTRATE  HEMT  SB   Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 127-131 Cao X; Zeng YP; Cui LJ; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP 收藏  |  浏览/下载：95/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  MOBILITY