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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
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2001 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题：半导体材料
内容类型：期刊论文
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Comparative study of the surface passivation on crystalline silicon by silicon thin films with different structures
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 1, 页码: 61-64
Zhao L
;
Diao HW
;
Zeng XB
;
Zhou CL
;
Li HL
;
Wang WJ
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浏览/下载：213/74
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提交时间：2010/04/04
Silicon thin film
HIT solar cell
Surface passivation
HETEROJUNCTION SOLAR-CELLS
HOT-WIRE CVD
YDROGEN DILUTION
N-TYPE
SPECTROSCOPY
OPTIMIZATION
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
收藏
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浏览/下载：236/104
|
提交时间：2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Time-resolved photoluminescence of sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot-quantum-well heterostructures
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5367-5371
Xu ZC
;
Jia GZ
;
Sun L
;
Yao JH
;
Xu JJ
收藏
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浏览/下载：73/20
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提交时间：2010/03/17
sub-monolayer
Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped GaSb
期刊论文
physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290
Hu WG
;
Wang Z
;
Su BF
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载：177/66
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提交时间：2010/03/09
GaSb
Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 898-902
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2010/11/23
Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Wang XG
;
Chang Y
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载：134/8
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提交时间：2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR
CARRIER DENSITY
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 189-192
作者:
Yu F
收藏
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浏览/下载：46/0
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提交时间：2010/08/12
solid phase epitaxy
silicon on sapphire (SOS)
carrier mobility
METASTABLE DEFECT IN AMORPHOUS-SILICON SOLAR-CELLS INVESTIGATED BY JUNCTION RECOVERY TECHNIQUE
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 1991, 卷号: 128, 期号: 1, 页码: 86-90
ZHANG Q
;
LI FD
;
LIAO XB
;
KONG GL
收藏
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2010/11/15
LIFETIME
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