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VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
于会永; 赵有文; 占荣; 高永亮
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磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
作者:  王博
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/23
MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 1996, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 133
作者:  牛智川
收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2010/11/23
MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 897
作者:  牛智川
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/23


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