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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2006 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template
会议论文
3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005
Liu, Z
;
Wang, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Guo, LC
;
Liu, HX
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:223/40
  |  
提交时间:2010/03/29
surface morphology
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/15
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
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