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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2002 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/15
3C-SiC
in-situ doping
low-pressure CVD
sapphire substrate
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
COMPETITION EPITAXY
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/15
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
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