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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
会议论文 [8]
发表日期
2001 [3]
2000 [3]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Epitaxial growth of SiC on complex substrates
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
optical microscopy
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
SAPPHIRE
DEPOSITION
FILMS
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
4th international conference on nitride semiconductors (icns-4), denver, colorado, jul 16-20, 2001
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
OPTICAL-TRANSITIONS
PHOTOLUMINESCENCE
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
acceptor binding energy
hole effective-mass Hamiltonian
wurtzite GaN
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
MOCVD
GaN
InGaN
cubic
LED
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
INGAN FILMS
ELECTROLUMINESCENCE
ZINCBLENDE
WURTZITE
MBE
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
symposium on nitride semiconductors, at the 1997 mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 1997
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/10/29
The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
2nd international symposium on blue laser and light emitting diodes (2nd isblled), chiba, japan, sep 29-oct 02, 1998
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/10/29
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