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硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2014/11/17


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