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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 22, 页码: 223507 Xiaoming Li, Weihua Han, Liuhong Ma, Hao Wang, Fuhua Yang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/03/26 Growth of heavily Zn-doped InGaAs at low temperature by LP-MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 261, 期号: 4, 页码: 490-495 Lin, T; Jiang, L; Wei, X; Wang, GH; Zhang, GZ; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：230/82  |  提交时间：2010/03/09 Doping   Effects of V/III ratio on InGaAs and InP grown at low temperature by LP-MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Jiang L; Lin T; Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhang HB; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：39/21  |  提交时间：2010/03/09 doping