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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comprehensive thermal characterization using ruby R fluorescence lines of sapphire and GaNE(2)-high Raman mode from Raman spectra in high-power flip-chip InGaN/GaN LEDs 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 35, 页码: 355101 Cui M; Zhou TF; Wang MR; Huang J; Huang HJ; Zhang JP; Xu K; Yang H 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  TEMPERATURE-MEASUREMENTS  GAN  SCATTERING  DEPENDENCE  JUNCTION  PHONONS  ALN