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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 冯向旭 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/06/03 AlInGaN  LED  MOCVD   利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/17