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半导体研究所 [33]
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光电子学 [33]
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学科主题:光电子学
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Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11, 页码: article no.116103
Zhang F
;
Xu SJ
;
Ning JQ
;
Zheng CC
;
Zhao DG
;
Yang H
;
Che CM
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
TRANSITIONS
ABSORPTION
Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD
期刊论文
journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
Sun YP (Sun Yuanping)
;
Sun Y (Sun Yuanping)
;
Cho YH (Cho Yong-Hoon)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang LL (Wang Lili)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:513/2
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提交时间:2010/08/17
InN
Burstein-Moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
FUNDAMENTAL-BAND GAP
WELL STRUCTURES
EMISSION
SINGLE
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Li Y
;
Chen P
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Wang ZG
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
InN
dislocation
carrier origination
localization
Localized-Surface-Plasmon Enhanced the 357 nm Forward Emission from ZnMgO Films Capped by Pt Nanoparticles
期刊论文
nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 10, 页码: 1121-1125
作者:
You JB
;
Yin ZG
;
Zhang XW
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/08
ZnMgO films
Photoluminescence
Localized surface plasmon
Nanoparticles
Photostability of single-photon emission from a single quantum dot in the 650-nm wavelength band at room temperature
期刊论文
applied physics b-lasers and optics, 2009, 卷号: 94, 期号: 4, 页码: 577-583
Xu X
;
Yamada T
;
Otomo A
收藏
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浏览/下载:387/72
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提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
NANOCRYSTALS
GENERATION
MOLECULE
Photoluminescence spectroscopy of sputtering Er-doped silicon-rich silicon nitride films
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 1-4
作者:
Zuo Yuhua
;
Cheng Buwen
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Optical and Electrical Properties of GaN.Mg Grown by MOCVD
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Zhang Shuming
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浏览/下载:138/36
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提交时间:2010/11/23
Comparative study of optical properties between quantum dot chains band quantum dots
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2008, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 161-+
Wang, BR
;
Sun, Z
;
Xu, ZY
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
收藏
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浏览/下载:44/3
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提交时间:2010/03/08
InGaAs/GaAs
quantum dots
quantum dot chains
optical properties
Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted GaN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: art. no. 025107
作者:
Yang H
;
Lu GJ
;
Zhang SM
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:66/1
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提交时间:2010/03/08
LUMINESCENCE
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