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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p-i-n avalanche photodiodes 期刊论文 chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 028503 Li, XJ; Zhao, DG; Jiang, DS; Liu, ZS; Chen, P; Wu, LL; Li, L; Le, LC; Yang, J; He, XG; Wang, H; Zhu, JJ; Zhang, SM; Zhang, BS; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/03/20 Effect of compensation doping on the electrical and optical properties of mid-infrared type-II InAs/GaSb superlattice photodetectors 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 067302 Wang YB; Xu Y; Zhang Y; Yu X; Song GF; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2011/07/07 InAs/GaSb superlattices  p-doping concentration  electrical and optical properties   Enhanced performance of p-GaN by Mg delta doping 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 1, 页码: 7-10 Wang HB (Wang Huaibing); Liu JP (Liu Jianping); Niu NH (Niu Nanhui); Shen GD (Shen Guangdi); Zhang SM (Zhang Shuming) 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/29 delta doping   Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101 Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON-BEAM  VACANCIES