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Effects of edge dislocations and intentional Si doping on the electron mobility of n-type GaN films 期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: art.no.112106
Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Jiang DS (Jiang D. S.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Wang YT (Wang Y. T.); Liang JW (Liang J. W.)
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