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半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
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2011 [1]
2010 [1]
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2007 [1]
2005 [1]
2000 [1]
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学科主题
光电子学 [6]
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学科主题:光电子学
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Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507
Yu X
;
Gu YX
;
Wang Q
;
Wei X
;
Chen LH
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/06
type-II 'W' quantum well
Burt-Foreman Hamiltonian
finite element methods
LASERS
ALLOYS
Silicon-Based Asymmetric Add-Drop Microring Resonators with Ultra-Large Through-Port Extinctions
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 054208
Xiao X (Xiao Xi)
;
Li YT (Li Yun-Tao)
;
Yu YD (Yu Yu-De)
;
Yu JZ (Yu Jin-Zhong)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/05/24
FILTERS
BAND
A new phototransistor with uni-travelling-carrier and optically gradual coupling properties
期刊论文
opto-electronics review, 2009, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 242-246
Wang L
;
Zhao L
;
Pan J
;
Zhang W
;
Wang H
;
Zhu H
;
Wang W
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/08
phototransistor
double heterojunction
uni-travelling-carrier
gradual coupling
A photonic crystal waveguide with silicon on insulator in the near-infrared band
期刊论文
chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 2011-2014
Tang HX (Tang Hai-Xia)
;
Zuo YH (Zuo Yu-Hua)
;
Yu JZ (Yu Jin-Zhong)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/03/29
photonic bandgap
A 10-GHz bandwidth electroabsorption modulated laser by ultra-low-pressure selective area growth
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2016-2019
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhou, F
;
Wang, BJ
;
Wang, LF
;
Wang, W
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浏览/下载:36/14
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提交时间:2010/03/17
MOVPE
Design consideration and performance of high-power and high-brightness InGaAs-InGaAsP-AlGaAs quantum-well diode lasers (lambda=0.98 mu m)
期刊论文
ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 577-584
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
OPERATION
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