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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：89/41  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  BAND-GAP  FILMS  SAPPHIRE   Temperature dependence of absorption edge in MOCVD grown GaN 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2007, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 1229-1233 Majid A (Majid Abdul); Ali A (Ali Akbar); Zhu JJ (Zhu Jianjun) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   PHOTOLUMINESCENCE AND SURFACE PHOTOVOLTAIC SPECTRA OF STRAINED INP ON GAAS 期刊论文 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1991, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 983-986 ZHUANG WH; CHEN C; TENG D; YU J; LI YZ 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 BAND-GAP  PHOTOREFLECTANCE