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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and transport properties of ZnO/Nb-1 wt %-doped SrTiO3 epitaxial heterojunctions 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: art. no. 012115 Wu, YL; Zhang, LW; Xie, GL; Zhu, JL; Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：63/3  |  提交时间：2010/03/08 MANGANITE-BASED HETEROJUNCTION  SCHOTTKY CONTACTS  TUNNELING CURRENT  ZNO   Influence of GaAsP insertion layers on performance of InGaAsP/InGaP/AlGaAs quantum-well laser 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2583-2586 Cao YL (Cao Yu-Lian); Lian P (Lian Peng); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Wang Q (Wang Qing); Wu XM (Wu Xu-Ming); He GR (He Guo-Rong); Li H (Li Hui); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Song GF (Song Guo-Feng); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  DIODE-LASERS  INTERFACE CHARACTERISTICS  GROWTH SEQUENCE  MOVPE GROWTH  LP-MOVPE  HETEROSTRUCTURES  HETEROJUNCTION  POWER  NM   Polarization effects simulation of AlGaN/GaN heterojunction by using a symbolistic delta-doping layer 期刊论文 solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 701-705 Li, N; Zhao, DG; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：153/59  |  提交时间：2010/03/09 AlGaN/GaN   Simulation of polarization effects in AlGaN/GaN heterojunction 期刊论文 science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2004, 卷号: 47, 期号: 6, 页码: 694-701 Li, N; Zhao, DG; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/17 AlGaN/GaN