QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 On detection wavelength and electron-hole wave function overlap of type II InAs/In-x Ga1-x Sb superlattice infrared photodetector 期刊论文 acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 5, 页码: 3099-3106 Huang JL (Huang Jian-Liang); Wei Y (Wei Yang); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Yang T (Yang Tao); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：219/36  |  提交时间：2010/06/04 type II superlattice   High-indium-content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells with emission wavelengths above 1.25 mu m at room temperature 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5100-5102 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：221/54  |  提交时间：2010/03/09 CRITICAL LAYER THICKNESS   Carrier concentration profiling in magnetic GaMnSb/GaSb investigated by electrochemistry capacitance-voltage profiler 期刊论文 chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1780-1782 Zhang XL; Zhang FQ; Song SL; Chen NF; Wang ZG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 electrochemistry C-V  magnetic semiconductor  GaMnSb  III-V SEMICONDUCTORS  MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES  TRANSPORT-PROPERTIES  (IN  MAGNETORESISTANCE  HETEROSTRUCTURES  (GA  GAAS  MN)AS/(GA  MN)AS  AL)SB   Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 219 作者:  Zhang W(张伟) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1152 作者:  Zhang W(张伟) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 High brightness AlGaInP orange light emitting diodes 会议论文 conference on display devices and systems ii, beijing, peoples r china, sep 16-17, 1998 Li YZ; Wang GH; Ma XY; Peng HI; Wang ST; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 high brightness  LED  MOCVD  AlGaInP