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科研机构
半导体研究所 [8]
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学科主题
光电子学 [8]
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学科主题:光电子学
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Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:60/2
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提交时间:2010/08/17
Gallium Nitride
Indium Gallium Nitride
Cathodeluminescence
X-ray Diffraction
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray diffraction
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: art. no. 076804
Guo X (Guo Xi)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Qiu YX (Qiu Yong-Xin)
;
Xu K (Xu Ke)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/08/17
in-plane grazing incidence x-ray diffraction
gallium nitride
mosaic structure
biaxial strain
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LATTICE-CONSTANTS
ALN
Effect of beta-irradiation on photoluminescence of MOCVD grown GaN
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2009, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 14-16
Majid A
;
Israr M
;
Zhu JJ
;
Ali A
收藏
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浏览/下载:266/76
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-IRRADIATION
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
6th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, sep 25-28, 2007
作者:
Chen P
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/09
pockels effect
Development of solar-blind AlGaN 128x128 ultraviolet focal plane arrays
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2008, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 820-826
Yuan, YG
;
Zhang, Y
;
Chu, KH
;
Li, XY
;
Zhao, DG
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:39/4
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN
photodiode
ultraviolet FPA
solar-blind
Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:51/5
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917
作者:
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Li XY
;
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
characterization
defects
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
nitrides
GAAS
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