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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain-induced anodization of SiGe/Si multiple layers to form high density SiGe/Si heterogeneous nanorods 期刊论文 solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901 Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/04 Strain-induced  Electrochemical anodization  Silicon germanium  Heterogeneous nanostructures  POROUS SILICON LAYER  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  SURFACE-MORPHOLOGY  THIN-FILMS  SI  GERMANIUM  SUPERLATTICES  NANOCRYSTALS  RELAXATION  GROWTH   Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121 Liu, HY; Meng, ZM; Dai, QF; Wu, LJ; Guo, Q; Hu, W; Liu, SH; Lan, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：54/3  |  提交时间：2010/03/08 ENERGY RELAXATION  ELECTRON RELAXATION  CAPTURE  PHONON  INAS  GAAS  TEMPERATURE  DEPENDENCE  DENSITY  TIME   Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105 Wang JF (Wang J. F.); Yao DZ (Yao D. Z.); Chen J (Chen J.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRESS EVOLUTION  DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  THIN-FILMS  ALGAN  DISLOCATIONS  RELAXATION  REDUCTION