QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K 会议论文 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Yan, JC; Wang, JX; Liu, NX; Liu, Z; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 AlGaN  GaN template  A1N interlayer  MOCVD  crack  interference fringes   Analysis of temperature dependence of silicon-on-insulator thermo-optic attenuator 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 465-467 Li YT (Li Yun-Tao); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Chen YY (Chen Yuan-Yuan); Sun F (Sun Fei); Chen SW (Chen Shao-Wu) 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/03/29 SWITCH   Photoinduced spin alignment of the magnetic ions in (Ga,Mn)As 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: art.no.083104 Sun BQ (Sun Baoquan); Jiang DS (Jiang Desheng); Sun Z (Sun Zheng); Ruan XZ (Ruan Xuezhong); Deng JJ (Deng Jiajun); Zhao JH (Zhao Jianhua); Ji Y (Ji Yang); Xu ZY (Xu Zhongying) 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/04/11 CDTE/CD1-XMNXTE QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES  LARMOR PRECESSION  MN2+ MOMENTS  DYNAMICS  POLARONS  SPECTROSCOPY  ORGANIZATION  CD1-XMNXSE  CARRIERS   Ferromagnetism in Mn and Cr doped GaN by thermal diffusion 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2005, 卷号: 117, 期号: 3, 页码: 292-295 Cai XM; Djurisic AB; Xie MH; Liu H; Zhang XX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/03/17 GaN   Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices 期刊论文 microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 349-354 作者:  Liu J 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs/AlAs  superlattices  transport  tunnelling  Landau level  LOW-FIELD MOBILITY  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  CONDUCTANCE  TRANSPORT  LOCALIZATION  MINIBANDS  NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY