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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effective recombination velocity of textured surfaces 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 19, 页码: art. no. 193107 Xiong KL (Xiong Kanglin); Lu SL (Lu Shulong); Jiang DS (Jiang Desheng); Dong JR (Dong Jianrong); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：119/3  |  提交时间：2010/06/04 carrier lifetime  numerical analysis  semiconductor thin films  surface recombination  surface texture   Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：58/1  |  提交时间：2011/07/05 BAND-GAP  INDIUM NITRIDE  TRANSPORT  EMISSION   Study on Raman spectra of GaMnAs 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2006, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 207-212 Ma BS; Wang WJ; Su FH; Den JJ; Jiang CP; Liu HL; Ding K; Zhao JH; Li GH 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 GaMnAs  Raman spectrum  coupled plamon-LO-phonon mode  hole density  GAAS  (GA  MOCVD  FILMS  GAN  MN)AS   Photoluminescence studies on pseudomorphic delta-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 333-337 Wang XG; Chang Y; Gui YS; Chu JH; Cao X; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 p-HEMTs  quantum well  photoluminescence  GAAS   Radiative transition in delta-doped GaAs superlattices 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 89-92 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 delta-doping  superlattices  radiative transition  SI  BAND-GAP