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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2021    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mechanism of Ionization Damage in Large Eight-Transistor Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Color Image Sensors 期刊论文 JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 1755-1761 作者:  Feng, J (Feng, Jie) [1] , [2];  Fu, J (Fu, Jing) [1] , [2] , [3];  Li, YD (Li, Yu-Dong) [1] , [2];  Wen, L (Wen, Lin) [1] , [2];  Guo, Q (Guo, Qi) [1] , [2] 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/03/24 CMOS Color Image Sensor  Ionization Damage  Radiation-Sensitive Parameters   Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs 期刊论文 JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429 作者:  Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3];  Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3];  Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3];  Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3];  Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3] 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2022/03/24 SiC Power MOSFETs  Switching Characteristics  Total Ionizing Dose (TID) Effect  Static Characteristic  Parasitic Capacitance