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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2021    专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Q-Switched External-Cavity Surface-Emitting Lasers 期刊论文 Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2021, 卷号: 48, 期号: 7 作者:  X. Zhang;  L. Pan;  Y. Zeng;  Z. Zhang;  H. Yang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2022/06/13 Performance enhancement of a p-Si/n-ZnGa2O4heterojunction solar-blind UV photodetector through interface engineering 期刊论文 Journal of Materials Chemistry C, 2021, 卷号: 9, 期号: 31, 页码: 10013-10019 作者:  D. Han;  K. Liu;  J. Yang;  X. Chen;  B. Li 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13 Improved performance of SiC radiation detectors due to optimized ohmic contact electrode by graphene insertion 期刊论文 Diamond and Related Materials, 2021, 卷号: 115 作者:  Y. Jia;  X. Sun;  Z. Shi;  K. Jiang;  T. Wu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/06/13 Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文 Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16 作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/06/13 Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文 Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6 作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2023/06/14