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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Assessment and Prediction of Air Entrainment and Geyser Formation in a Bottom Outlet: Field Observations and CFD Simulation 期刊论文 FLUIDS, 2020, 卷号: 5, 期号: 4 作者:  Yang, James;  Teng, Penghua;  Nan, Junhu;  Li, Shicheng;  Ansell, Anders 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2022/03/01 bottom outlet  air entrainment  geyser  field tests  CFD modeling   Naphthalene diimide based near-infrared luminogens with aggregation-induced emission characteristics for biological imaging and high mobility ambipolar transistors 期刊论文 SCIENCE CHINA-CHEMISTRY, 2020, 页码: 10 作者:  Guo, De;  Li, Lin;  Zhu, Xianqi;  Heeney, Martin;  Li, Jing 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/08/24 aggregation induced emission (AIE)  naphthalene diimides (NDI)  near-infrared (NIR) solid emission  organic field effect transistors (OFETs)  bio-imaging   Bottom-Gate Approach for All Basic Logic Gates Implementation by a Single-Type IGZO-Based MOS Transistor with Reduced Footprint 期刊论文 ADVANCED SCIENCE, 2020, 卷号: 7, 期号: 6 作者:  Qi, Shaocheng;  Cunha, Joao;  Guo, Tian-Long;  Chen, Peiqin;  Zaccaria, Remo Proietti 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/12/16 THIN-FILM TRANSISTORS  INTEGRATED-CIRCUITS  MEMORY   Broadband Optoelectronic Synaptic Thin-Film Transistors Based on Oxide Semiconductors 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2020, 卷号: 14, 期号: 4 作者:  Duan, Hongxiao;  Javaid, Kashif;  Liang, Lingyan;  Huang, Lu;  Yu, Jiahuan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/12/16 PLASTICITY  DEVICES  BUDGET